Philips Semiconductors Inc

United States
Cage Code: 18324
유형 코드: A
페이지: 204 of 344
항목
국가 주식 번호
항목 설명
부품 번호:
N74F524N 회로
NSN:
5962-01-417-7613
디지털 마이크로 회로
부품 번호:
CC1366F 회로
NSN:
5962-01-417-9780
선형 미세 회로
부품 번호:
82S100/B3A 회로
NSN:
5962-01-417-9820
메모리 미세 회로
부품 번호:
82S100/B3A 회로
NSN:
5962-01-417-9821
메모리 미세 회로
부품 번호:
74HCT534N 회로
NSN:
5962-01-418-1793
디지털 마이크로 회로
부품 번호:
82S191A/B3A 회로
NSN:
5962-01-418-3931
메모리 미세 회로
부품 번호:
82S191A/B3A 회로
NSN:
5962-01-418-3933
메모리 미세 회로
부품 번호:
82S191A/B3A 회로
NSN:
5962-01-418-3934
메모리 미세 회로
부품 번호:
82S191A/B3A 회로
NSN:
5962-01-418-3935
메모리 미세 회로
부품 번호:
82S191A/B3A 회로
NSN:
5962-01-418-3936
메모리 미세 회로
부품 번호:
82S191A/B3A 회로
NSN:
5962-01-418-3937
메모리 미세 회로
부품 번호:
82S191A/B3A 회로
NSN:
5962-01-418-3938
메모리 미세 회로
부품 번호:
82S181/BJA 회로
NSN:
5962-01-418-4480
메모리 미세 회로
부품 번호:
CC5193-975W 회로
NSN:
5962-01-419-0632
메모리 미세 회로
부품 번호:
CC5193-976W 회로
NSN:
5962-01-419-0633
메모리 미세 회로
부품 번호:
CC5193-977 회로
NSN:
5962-01-419-0637
메모리 미세 회로
부품 번호:
HEF4750 합성기
NSN:
5895-01-419-1458
전기 주파수 합성기
부품 번호:
68154/BQA 회로
NSN:
5962-01-419-5938
디지털 마이크로 회로
부품 번호:
54F112/BFA 회로
NSN:
5962-01-419-8149
디지털 마이크로 회로
부품 번호:
54ALS32/B2A 회로
NSN:
5962-01-419-8172
디지털 마이크로 회로
부품 번호:
100163F 회로
NSN:
5962-01-419-9608
디지털 마이크로 회로
부품 번호:
54F543/BLA 회로
NSN:
5962-01-420-2222
디지털 마이크로 회로
부품 번호:
TAA420 회로
NSN:
5962-01-420-2393
선형 미세 회로
부품 번호:
54ABT244/BRA 회로
NSN:
5962-01-420-5153
디지털 마이크로 회로
부품 번호:
74HC356N 회로
NSN:
5962-01-421-4150
디지털 마이크로 회로
부품 번호:
BD825 트랜지스터
NSN:
5961-01-421-4319
트랜지스터
부품 번호:
BBY39 장치
NSN:
5961-01-421-7012
일체형 반도체 장치
부품 번호:
BFG55 트랜지스터
NSN:
5961-01-421-7013
트랜지스터
부품 번호:
BZX84-C7V5 장치
NSN:
5961-01-421-7014
다이오드 반도체 장치
부품 번호:
BF824 트랜지스터
NSN:
5961-01-421-7015
트랜지스터
부품 번호:
BSV52 트랜지스터
NSN:
5961-01-421-7016
트랜지스터
부품 번호:
N74F825N 회로
NSN:
5962-01-421-7042
디지털 마이크로 회로
부품 번호:
RC5400FH 회로
NSN:
5962-01-421-8029
디지털 마이크로 회로
부품 번호:
74HC112N 회로
NSN:
5962-01-421-9112
디지털 마이크로 회로
부품 번호:
BZX84-C6V2 장치
NSN:
5961-01-422-2439
다이오드 반도체 장치

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